(2)光伏型:主要是p-n结的光生伏特效应。能量大于禁带宽度的红外光子在结区及其附近激发电子空穴对。存在的结电场使空穴进入p区,电子进入 n 区,两部分出现电位差。外电路就有电压或电流信号。与光导探测器比较,光伏探测器背影限探测率大于40%;不需要外加偏置电场和负载电阻,不消耗功率,有高的阻抗。这些特性给制备和使用焦平面阵列带来很大好处。
人们致力于研究替代衬底,如PACE(Producible Alternative to CdTe for Epitaxy )- I ( HgCdTe / CdTe/ 宝石),PACE-II(HgCdTe/C dTe/GaAs)和PACE-III(HgCdTe/CdTe/Si)。日本和法国还报道Ge衬底,目标是与MCT的晶格 匹配并有利于与Si读出线路的耦合。 优质碲镉汞材料制备困难、均匀性差、器件工艺特殊,成品率低,因而成本高一直是困扰碲镉汞IRFPA的主要障碍。人们始终没有放弃寻找材料的努力,但迄今还没有一种新材料能超过碲镉汞的基本优点。为满足军事应用更高的性能要求,碲镉汞FPA仍然是首选探测器。